[원인] : SD CARD의 회로 손상이나 컨트롤러 손상

[작업 과정]

SD CARD를 분해하여 내부 부품을 꺼냅니다.

PCB에 NAND Flash가 장착되어 있는 방식이며 NAND Flash는 삼성의 K9LCG08U1M-LCB0입니다.

NAND Flash를 PCB에서 분리하여 리더를 이용하여 NAND Flash에 기록되어 있는 raw data를 읽어 들입니다.

플래시 메모리는 NAND Flash에 데이터를 기록할 때 메모리 셀의 기록 횟수 제한에 의해서 Wear-Leveling이라는 방식을 사용해서 데이터를 기록하기 때문에 NAND Flash를 읽었다고 해서 데이터를 바로 복구할 수가 없습니다.

Nand Flash의 데이터를 reverse engineering으로 분석하여 플래시 메모리의 image building작업을 한 후 SD메모리에 저장되어있던 사진 데이터를 완전히 복구할 수 있었습니다.